Leistungshalbleiter - HITACHI ENERGY

Aufbauend auf unserer Erfahrung mit leistungsstarken, hochzuverlässigen Geräten für Spannungen von 3.300 V und darüber haben wir unser Portfolio durch die Einführung einer Familie von 1.200-V-Leistungsmodulen erweitert. Beginnend mit einem 1.200 V 2 x 900 A Modul, das ein verbessertes LoPak-Modulgehäuse verwendet, ergänzen die neuen Produkte die bestehende 1.700 V Familie.

Diese neuen Module verfügen über Chips der nächsten  Generation der extrem verlustarmen, robusten Trench-IGBT-Technologie sowie entsprechend optimierten Dioden.

Neben der standardmäßigen Verwendung einer Kupfer (Cu)-Grundplatte, Press-Fit-Pins für die Steueranschlüsse und ab Werk aufgebrachtem Thermal Interface Material (TIM) auf der Grundplatte, umfasst das verbesserte LoPak-Gehäuse:

-              Ein neues Cu-Lay-Out auf dem DBC-Substrat zur Optimierung der Chip-Positionen, zur Minimierung der

               ohmschen Widerstand der Leiterbahnen bei gleichzeitiger Optimierung der Stromaufteilung zwischen

               den IGBT- und Diodenpaaren.

-              Verwendung von Cu-Bonddraht für die DBC/DBC- und DBC/Leistungsanschlüsse sowie eine

               erhöhte Anzahl von Bonddrähten.

Nähere Informationen hier ->

Hier das Datenblatt:  Datasheet ->

Nach der erfolgreichen Markteinführung des 60Pak Diodenmoduls Anfang dieses Jahres, freuen wir uns, Ihnen mitteilen zu können, dass das 60Pak Thyristormodul nun das vierte Tor passiert hat.

Das Thyristor-Phasenschiebermodul mit der Bezeichnung 5SET 0540T1800 hat eine Leistung von 1800 V / 540 A und kann ab sofort in Musterstückzahlen bestellt werden. Außerdem sind Dioden/Thyristor-Modul-Varianten verfügbar, die die Bezeichnung 5SEG 0540T1820 und 5SEE 0540T1830 haben.

Die Qualifizierung der genannten Module planen wir für Dezember 2021.

Die 60Pak-Modulfamilie bietet ein Höchstmaß an Zuverlässigkeit und ist der Inbegriff von Qualität. Sie zeichnet sich durch industrietaugliche Gehäuse und sehr geringe Verluste zusammen mit der höchsten Betriebstemperatur aus.

Dazu hier die Datenblätter:

    5SET 0540T1800  Phase Control Thyristor Modul 

    5SEG 0540T1820 Phase Control Thyristor Modul / Rectifier Dioden Modul

    5SEE 0540T1830 Phase Control Thyristor Modul / Rectifier Dioden Modul

Für höchste Qualitätsansprüche:

Für Nähere Informationen bitte auf das jeweilige Bild klicken

ABB erweitert sein Programm um Dioden- und Thyristormodule im 60Pak

Die Bemusterung startet mit der Diodenhalbbrücke

5SED 0890T2240

Kenndaten:

•      V_RRM = 2200 V

•      I_FAVm = 889 A

•      I_FSM = 22 000 A

•      V_TO = 0.782 V

•      r_T = 0.209 mΩ

•      T_jmax = 160 °C

Bei Interesse fordern Sie bitte das Datenblatt und weitere Informationen bei uns an.

→ Webinar "Influence of cosmic rays on power semiconducters and their applications