ROHMs SiC-Mosfet der 4. Generation

Die SiC-MOSFETs der 4. Generation von ROHM tragen zu einer drastischen Verringerung der Systemgröße und des Stromverbrauchs in einer Vielzahl von Anwendungen bei - einschließlich Antriebsumrichtern für Elektrofahrzeuge und Schaltnetzteilen. Beispielsweise kann der Stromverbrauch im Vergleich zu IGBT-Lösungen um 6 % gesenkt werden, indem der Wirkungsgrad vor allem im Bereich hoher Drehmomente und niedriger Drehzahlen deutlich verbessert wird, wenn der SiC-MOSFET der 4. Generation in den Antriebsumrichtern eingesetzt wird (berechnet nach dem WLTC-Kraftstoffverbrauchstest, einem internationalen Standard).

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ROHM´s New Compact Surface Mount 45W Output AC/DC Converter ICs: Equipped with Intergrated High Voltage SJ MOSFET

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